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PRODUCT: SESD0402X1BN-0010-098
308 Constitution Drive
Menlo Park, CA USA
www.circuitprotection.com
DEVICE MAXIMUM RATING
Single Channel
Silicon ESD Protector
Overvoltage Protection Device
DOCUMENT: SCD28187
REV LETTER: G
REV DATE: MAY 15, 2013
PAGE NO.: 2 OF 6
ESD Withstand
(1)
(IEC 61000-4-2, level 4)
Temperature
Peak Current
(tp=8x20 μ s)
Operating ( C)
Storage ( C)
Contact (kV) Air (kV)
o
o
Ipp (A)
20
20
-55 to +125
-55 to +150
2.0
(1)
20kV @ 1 pulse; 10kV @ 100 pulses; 8kV @ 1,000 pulses (under IEC6100-4-2)
? Maximum leakage current post 15kV & 20kV pulses is less than 1 μA
? Device maximum rating @ T = 25oC, unless otherwise specified
? Caution: Stress exceeding Device Maximum Ratings may damage the device
Prolonged exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability
DEVICE ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Input Capacitance
@ V R = 0V, f = 3GHz (pF)
Breakdown Voltage
V BR @ I T =1mA (V)
Reverse Working
Voltage (V)
Reverse Leakage Current
I L @ V RWM =5.0V (nA)
Clamping Voltage
V CL @ Ipp=2.0A (V)
Typ Maximum Typ Min Max
0.10 0.13 +9.80 / -9.80 -7.00 +7.00
Typ
25.0
Max
50.0
Typ
+10.0 / -10.0
? All device electrical characteristics @ T = 25oC, unless otherwise specified
FIGURE 1. INSERTION LOSS DIAGRAM
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